图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MMBT2222AWT1 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 600mA 75V NPN

内部编号

277-MMBT2222AWT1

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:27603
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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MMBT2222AWT1产品详细规格

规格书 MMBT2222AWT1 datasheet 规格书
MMBT2222AWT1 Datasheet
文档 Multiple Devices 21/Jan/2010
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知 Product Obsolescence 21/Jan/2010
标准包装 10
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 600mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1V @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 150mA, 10V
功率 - 最大 150mW
频率转换 300MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 SC-70, SOT-323
供应商器件封装 SC-70-3 (SOT323)
包装材料 Cut Tape (CT)
集电极最大直流电流 0.6
最小直流电流增益 35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@1...
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-323
最低工作温度 -55
最大功率耗散 150
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 300(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 75
供应商封装形式 SC-70
最大集电极发射极电压 40
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 600mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 300MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1V @ 50mA, 500mA
标准包装 10
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
供应商设备封装 SC-70-3 (SOT323)
功率 - 最大 150mW
封装/外壳 SC-70, SOT-323
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 150mA, 10V
其他名称 MMBT2222AWT1OSCT
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

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